T/IAWBS 003—2017 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法-团体标准
目录
| 标准详细信息 | |
|---|---|
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/IAWBS 003—2017 |
| 中文标题 | 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法 |
| 英文标题 | |
| 国际标准分类号 | 29.045 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | C398 电子元件及电子专用材料制造 |
| 发布日期 | 2017年12月20日 |
| 实施日期 | 2017年12月31日 |
| 起草人 | 冯淦、陈志霞、钮应喜、张新河、李赟、陆敏、彭同华、刘振洲 |
| 起草单位 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、全球能源互联网研究院、东莞天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 范围 | |
| 主要技术内容 | 本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容－电压法。 本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度。载流子浓度测量范围为：1×1014 cm-3 ～5×1017 cm-3。 本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
| 团体详细信息 | |||
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| 团体名称 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | ||
| 登记证号 | 51110000MJ0117961F | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 产业技术研发、科技成果转化、信息平台与专业数据库建设、自主品牌推广、专业咨询培训与会展、承接政府委托、国际交流与合作。 | ||
| 法定代表人/负责人 | 刘祎晨 | ||
| 依托单位名称 | 无 | ||
| 通讯地址 | 北京市大兴区天荣街9号世农大厦3层 | 邮编 : 102600 | |