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| 标准详细信息 |
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| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/IAWBS 010—2019 |
| 中文标题 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 |
| 英文标题 | Detection method for measuring the surface Detection method for measuring the surface quality and micropipe densityof polished monocrystalline silicon carbide wafers-Laser Scattering Method |
| 国际标准分类号 | 29.045 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | C398 电子元件及电子专用材料制造 |
| 发布日期 | 2019年12月27日 |
| 实施日期 | 2019年12月31日 |
| 起草人 | 佘宗静、赵岩、杜莹莹、曹艳芳、刘丹、陆敏、郑红军、林健、王文军、林雪如、刘祎晨、陈鹏、韩超、张平、钮应喜、陈志霞、张瑾、陈彤。 |
| 起草单位 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京天科合达半导体股份有限公司、东莞天域半导体科技有限公司、江苏天科合达半导体有限公司、新疆天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所、北京三平泰克科技有限责任公司、中国科学院半导体研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所、全球能源互联网研究院有限公司、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、中国科学院电工研究所、泰科天润半导体科技（北京）有限公司。 |
| 范围 | 本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的表面质量和微管密度的测试方法-激光散射测试法。
本标准适应于4H及6H碳化硅单晶抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。 |
| 主要技术内容 | 随着SiC产业的发展，获得完美表面的SiC单晶抛光片已成为碳化硅材料应用的关键环节之一。为了制造高性能的SiC电力电子器件，要求晶片晶格完整，具有平整度极高的无损伤超平滑表面，且无晶向偏差。因为即使表面存在微小缺陷，都会破坏晶体材料的表面性能，甚至导致结晶构造的变化，影响器件的电学性能。现行的测试方法主要是在漫反射条件下依据目测观察，而SiC单晶抛光片的表面存在着颗粒、划痕、凹坑等缺陷，依靠人为目测，会存在较大误差。本标准采用先进仪器，客观的表征SiC单晶抛光片表面的划痕、颗粒、凹坑等缺陷。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
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| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 |
| 登记证号 | 51110000MJ0117961F | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 产业技术研发、科技成果转化、信息平台与专业数据库建设、自主品牌推广、专业咨询培训与会展、承接政府委托、国际交流与合作。 |
| 法定代表人/负责人 | 刘祎晨 |
| 依托单位名称 | 无 |
| 通讯地址 | 北京市大兴区天荣街9号世农大厦3层 | 邮编 : 102600 |
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