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| 标准详细信息 |
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| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/ZSA 38—2020 |
| 中文标题 | SiC晶片的残余应力检测方法 |
| 英文标题 | Experimental method for residual stress in SiC wafers |
| 国际标准分类号 | 29.045 |
| 中国标准分类号 | H80/84 |
| 国民经济分类 | C398 电子元件及电子专用材料制造 |
| 发布日期 | 2020年12月17日 |
| 实施日期 | 2020年12月18日 |
| 起草人 | 苏飞、闫方亮、彭同华、佘宗静、刘春俊、赵宁、陆敏、郑红军、陈鹏、林雪如、刘祎晨。 |
| 起草单位 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京聚睿众邦科技有限公司、北京航空航天大学、北京天科合达半导体股份有限公司、北京三平泰克科技有限责任公司。 |
| 范围 | 本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。
本文件适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。 |
| 主要技术内容 | 本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。
本文件适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
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| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 中关村标准化协会 |
| 登记证号 | 51110000MJ0111906XH | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 开展在中关村标准化领域内的学术研究、学术交流、咨询培训、会议会展、国际交流 |
| 法定代表人/负责人 | 王钧 |
| 依托单位名称 | |
| 通讯地址 | 北京市海淀区首体南路2号 | 邮编 : 100044 |
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