T/CASAS 019—2021 微纳米金属烧结体电阻率测试方法 四探针法-团体标准
目录
| 标准详细信息 | |
|---|---|
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CASAS 019—2021 |
| 中文标题 | 微纳米金属烧结体电阻率测试方法 四探针法 |
| 英文标题 | Test method for resistivity of micro and nano metal sintered compact: four probe method |
| 国际标准分类号 | 31.080.01 半导体器分立件综合 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | C397 电子器件制造 |
| 发布日期 | 2021年11月01日 |
| 实施日期 | 2021年12月01日 |
| 起草人 | 张国旗，叶怀宇、刘旭、张靖、张敬国、赵朝晖、梁明会、刘洋、王可、唐宏浩、周斌、樊嘉杰、刘盼、张凯、王来利、田天成、赵璐冰、高伟 |
| 起草单位 | 北京半导体照明科技促进中心、南方科技大学、有研粉末新材料股份有限公司、北京康普锡威科技有限公司、上海贺利氏工业技术材料有限公司、国家纳米科学中心、广州四探针科技有限公司、哈尔滨理工大学、工业和信息化部电子第五研究所、中国科学院微电子研究所、复旦大学、深圳基本半导体有限公司、广东工业大学、西安交通大学、重庆大学、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、BOSCHMAN TECHNOLOGY |
| 范围 | 本文件规定了第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体的电阻率测试方法。 本文件适用于第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体的电阻率测试评价；此烧结体不包含烧结件的被连接件（如芯片）、连接基体。 本方法适用于直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距4倍的微纳米金属烧结体圆形样品体积电阻率的测试，不适用于薄膜样品方块电阻的测试。 |
| 主要技术内容 | 金属互连材料在半导体封装工业中占据关键地位。传统封装采用焊料合金互连，但其析出的金属间化合物导致互连层服役温度较低且脆性较高。作为最适合于第三代半导体模块封装的界面连接技术之一，以微纳米银、微纳米铜为代表的新型微纳米金属烧结互连技术具有组分单一、低工艺温度、高服役温度的优点，而且芯片连接件的可靠性也可以得到大幅提升，特别是微纳米金属烧结件的烧结层往往具有低电阻率、高导热性能，这也使其更加适合未来的高温度、高功率密度应用。 电阻率是表示材料导电能力的关键物理量。作为材料的本征参数，电阻率与材料大小和形状无直接关系，如银电阻率为1.65 ×10-6Ω?cm，铜电阻率为1.75 ×10-6Ω?cm。对于微纳米金属烧结技术制备的烧结体的电阻率，一般情况下是对应金属体材料电阻率的数倍；采用不同材料、不同工艺下的微纳米金属烧结体，往往会形成微观下不同尺寸、不同数量、不同致密度的孔隙结构，从而影响其电阻率性能。 目前，新型的微纳米金属烧结技术尚属技术推广阶段，业内尚未对该技术制备的烧结体制定专门的电阻率测试方法标准。测试仪器品牌的不同，同时，样品规格、测试条件、测试步骤等的限定各有不同，这使得行业内无法高效可靠的对不同烧结膏体的电性能进行统一的比较。因此，有必要根据实际需求，尽快制定相应关键性能参数的术语标准和测试标准。 本文件采用了与T/CASA020《微纳米金属烧结体热导率试验方法：闪光法》统一尺寸的样品，并以凯尔文电桥原理的四探针法测定，避免测量中引线电阻、接触电阻的干扰，以保证微纳金属烧结体的小电阻率测量值情况下的准确性、可对比性。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
| 团体详细信息 | |||
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| 团体名称 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | ||
| 登记证号 | 51110000MJ0118585E | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 技术研发，成果转化；咨询培训 ； 会议会展 ；承办委托； 国际交流 | ||
| 法定代表人/负责人 | 于坤山 | ||
| 依托单位名称 | |||
| 通讯地址 | 北京市海淀区清华东路甲35号五号楼五层 | 邮编 : 100083 | |