T/CES 085—2021 压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块高温反偏试验规范-团体标准
目录
| 标准详细信息 | |
|---|---|
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CES 085—2021 |
| 中文标题 | 压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块高温反偏试验规范 |
| 英文标题 | Test specification of high temperature reverse bias for press pack insulated-gate bipolar transistor modules |
| 国际标准分类号 | 31.080.01 半导体器分立件综合 |
| 中国标准分类号 | L 40 |
| 国民经济分类 | C397 电子器件制造 |
| 发布日期 | 2021年09月28日 |
| 实施日期 | 2021年09月30日 |
| 起草人 | 李尧圣、陈艳芳、李翠、李金元、邓二平、郭春生、贺庭玉、季凌云、张雷、万超群、魏争。 |
| 起草单位 | 全球能源互联网研究院有限公司、北京工业大学、华北电力大学、杭州中安电子有限公司、西安美泰电气科技有限公司、株洲中车时代半导体有限公司、国网经济技术研究院有限公司。 |
| 范围 | 本文件规定了压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块高温反偏试验的试验电路、设备要求、试验条件、试验步骤、接收判据等要求。 本文件适用于电网电力电子装置用压接型IGBT模块，其他新型IGBT模块如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等模块也可参照此文件。 |
| 主要技术内容 | 本标准适用于电网用电力电子装置用的压接型IGBT模块，其它新型IGBT模块如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等模块也可参照此标准。 本标准介绍了压接型IGBT模块高温反偏试验的相关内容，包含适用范围、相关术语的定义、设备要求、试验流程、冷却、测试以及失效标准等技术内容。 本标准考虑到了压接型IGBT模块的特殊性，对检测方法和设备要求进行更具针对性和更为详尽的规定和特殊要求，可以有效解决常规测试耗时较长、测试成本高，检测效率低等问题，对压接型IGBT模块的广泛应用提供了基础保障。主要内容如下： 前言 1 范围 2 规范性引用文件 3 术语和定义 4 符号和缩略语 5 试验电路 6 设备要求 7 试验条件 8 试验步骤 9 失效判据 10 试验时间认定 11 试验报告 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 不公开 |
| 团体详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 团体名称 | 中国电工技术学会 | ||
| 登记证号 | 51100000500006049 | 发证机关 | 中华人民共和国民政部 |
| 业务范围 | 学术交流、国际合作、专业展览、业务培训、书刊编辑、咨询服务 | ||
| 法定代表人/负责人 | 贾利民 | ||
| 依托单位名称 | |||
| 通讯地址 | 北京市西城区莲花池东路102号天莲大厦10层 | 邮编 : 100055 | |