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| 标准详细信息 |
|---|
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CIE 119—2021 |
| 中文标题 | 半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序 |
| 英文标题 | |
| 国际标准分类号 | 31.080.01 半导体器分立件综合 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | C397 电子器件制造 |
| 发布日期 | 2021年11月22日 |
| 实施日期 | 2022年02月01日 |
| 起草人 | 张战刚、雷志锋、黄云、郭雁泽、于全芝、梁天骄、郭红霞、赵振可、王春晓、陈宇、何玉娟、彭超、肖庆中 |
| 起草单位 | 工业和信息化部电子第五研究所、中国民用航空适航审定中心、散裂中子源科学中心、西北核技术研究院、中国航发商用航空发动机有限责任公司、中国航空综合技术研究所 |
| 范围 | |
| 主要技术内容 | 本文件给出半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序。专门针对使用散裂中子源对半导体器件进行大气中子单粒子效应加速试验，根据半导体器件工艺和散裂中子源测试条件变化，编制新标准，覆盖热中子和高能中子协同测试，提升试验效率，覆盖高速大容量器件测试、MBU测试分析、1MeV~10MeV中子贡献等半导体器件大气中子单粒子效应测试中的关键环节。通过开展散裂中子源加速辐照试验、数据处理分析和计算，可以得到半导体器件在实际应用环境下的大气中子单粒子效应敏感性数据，为半导体器件抗辐射能力评价提供依据，为电子系统软错误模型和分析评价提供基础数据。 |
| 是否包含专利信息 | 是 |
| 标准文本 | 查看 |
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| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 中国电子学会 |
| 登记证号 | 社证字第4079号 | 发证机关 | 中华人民共和国民政部 |
| 业务范围 | 学术交流 教育普及 书刊编辑 评审鉴定 专业展览 咨询服务 |
| 法定代表人/负责人 | 徐晓兰 |
| 依托单位名称 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 通讯地址 | 北京市玉渊潭南路普惠南里13号 | 邮编 : 100036 |
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