T/CIE 126—2021 磁随机存储芯片测试方法-团体标准

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标准详细信息
标准状态  现行
标准编号  T/CIE 126—2021
中文标题  磁随机存储芯片测试方法
英文标题  
国际标准分类号  31.200
中国标准分类号  
国民经济分类  I6550 信息处理和存储支持服务
发布日期  2021年12月23日
实施日期  2022年02月10日
起草人  赵巍胜、彭守仲、李月婷、曹凯华、王昭昊、聂天晓、史可文、王佑、邓尔雅、 陈燕宁、付振、潘成、刘芳、赵桂林、帅喆、孙杰杰、王超、卢辉、王亮、陆时进、李鑫云、曹安妮、王戈飞、刘宏喜、郭玮、何帆、菅端端、南江
起草单位  北京航空航天大学、北京智芯微电子科技有限公司、北京芯可鉴科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所、上海佑磁信息科技有限公司、北京时代民芯科技有限公司、致真存储(北京)科技有限公司、深圳亘存科技有限责任公司、中国电子技术标准化研究院
范围  
主要技术内容  本标准给出了磁随机存储(Magnetic Random-Access Memory; MRAM)芯片测试方法的术语、测试原理、测试环境、测试设备、测试程序等。
本标准适用于磁随机存储芯片测试和磁随机存储芯片关键性能(可靠性和电学参数等)验证。
是否包含专利信息  
标准文本  查看

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团体详细信息
团体名称中国电子学会
登记证号社证字第4079号发证机关中华人民共和国民政部
业务范围学术交流 教育普及 书刊编辑 评审鉴定 专业展览 咨询服务
法定代表人/负责人徐晓兰
依托单位名称中华人民共和国工业和信息化部
通讯地址北京市玉渊潭南路普惠南里13号邮编 : 100036

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