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| 标准详细信息 |
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| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/IAWBS 015—2021 |
| 中文标题 | 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 |
| 英文标题 | Test method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of Ga2O3 single crystal substrate |
| 国际标准分类号 | 29.045 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | C398 电子元件及电子专用材料制造 |
| 发布日期 | 2021年09月15日 |
| 实施日期 | 2021年09月22日 |
| 起草人 | 李培刚、郭道友、吴忠亮、陈旭、唐为华。 |
| 起草单位 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟，北京邮电大学，北京镓族科技有限公司 |
| 范围 | 本文件规定了利用双晶X射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法。
本文件适用于熔体法及其他方法生长的和定向切割晶锭制备的氧化镓单晶片，对前述单晶片进行化学或机械抛光后的样品同样适用于此方法。
本文件适用于β相氧化镓单晶。 |
| 主要技术内容 | 氧化镓（Ga2O3）因其具有4.9 eV超宽带隙，且具有天然的日盲紫外特性以及极高的击穿场强获得了广泛关注。氧化镓拥有日盲、耐高压高温、低损耗高功率等特点，在半导体功率器件及电力电子器件市场前景广泛。氧化镓单晶材料是氧化镓生长最理想的衬底，对提高外延薄膜的质量，降低位错密度，提高器件效率，延长工作寿命等方面具有不可替代的优势。
氧化镓单晶材料的重要性能指标之一就是结晶质量，而高分辨X射线衍射摇摆曲线半高宽测试具有快速、无损、精度高等优点，是表征氧化镓单晶结晶质量的必要方法，编制本方法有助于规范行业内产品质量的评估，对产业的健康发展及半导体材料的标准化工作可起到重要的促进作用。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
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| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 |
| 登记证号 | 51110000MJ0117961F | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 产业技术研发、科技成果转化、信息平台与专业数据库建设、自主品牌推广、专业咨询培训与会展、承接政府委托、国际交流与合作。 |
| 法定代表人/负责人 | 刘祎晨 |
| 依托单位名称 | 无 |
| 通讯地址 | 北京市大兴区天荣街9号世农大厦3层 | 邮编 : 102600 |
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