收录自团体标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该团体标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。
| 标准详细信息 |
|---|
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CASAS 015—2022 |
| 中文标题 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法 |
| 英文标题 | Power cycling test method for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor（SiC MOSFET） |
| 国际标准分类号 | 31.080.01 半导体器分立件综合 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | C397 电子器件制造 |
| 发布日期 | 2022年07月18日 |
| 实施日期 | 2022年07月18日 |
| 起草人 | 陈媛、贺致远、来萍、路国光、姚天保、李金元、李尧圣、谢峰、成年斌、陈义强、黄云、刘奥、刘昌、徐新兵、吴海平、唐宏浩、刘伟鑫、李巍巍、王来利、乔良、徐瑞鹏 |
| 起草单位 | 工业和信息化部电子第五研究所、江苏宏微科技股份有限公司、国网智能电网研究院有限公司、深圳市禾望电气股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、中国电子科技集团集团第五十五研究所、比亚迪半导体股份有限公司、深圳基本半导体有限公司、中国航天科技集团公司第八研究院第八0八研究所、南方电网科学研究院有限责任公司、西安交通大学、东莞南方半导体科技有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 范围 | 本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。
本文件适用于不带反向并联肖特基二极管的SiC MOSFET分立器件的功率循环试验。 |
| 主要技术内容 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频等极端环境下工作的电子器件。SiC MOSFET的功率循环试验是使器件重复承受通电升温和关断降温循环，以加速器件芯片与安装表面之间所有的键合和界面退化。器件能否能承受规定应力条件下的功率循环次数是评估器件实际应用可靠性的重要手段。
由于SiO2与SiC界面缺陷的俘获和释放机制，传统的Si MOSFET的功率循环试验方法会由于SiC MOSFET器件的阈值电压V_GS(th) 漂移导致结温等监测参数出现偏差，从而影响功率循环试验的准确性，本文件给出了适用于SiC MOSFET器件的功率循环试验方法。
|
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
收录自团体标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该团体标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。
| 团体详细信息 |
|---|
| 团体名称 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 登记证号 | 51110000MJ0118585E | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 技术研发，成果转化；咨询培训 ； 会议会展 ；承办委托； 国际交流 |
| 法定代表人/负责人 | 于坤山 |
| 依托单位名称 | |
| 通讯地址 | 北京市海淀区清华东路甲35号五号楼五层 | 邮编 : 100083 |
收录自团体标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该团体标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。