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| 标准详细信息 |
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| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CASAS 016—2022 |
| 中文标题 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法 |
| 英文标题 | Transient dual test method for the measurement of the thermal resistance junction to case of silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor（SiC MOSFET） |
| 国际标准分类号 | 31.080.01 半导体器分立件综合 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | C397 电子器件制造 |
| 发布日期 | 2022年07月18日 |
| 实施日期 | 2022年07月18日 |
| 起草人 | 付志伟、侯波、周斌、陈思、杨晓锋、陈义强、陈媛、来萍、黄云、路国光、刘奥、郭怀新、李巍巍、李金元、李尧圣、王来利、刘斯扬、杨家跃、崔益军、唐宏浩、乔良、徐瑞鹏。 |
| 起草单位 | 工业和信息化部电子第五研究所、中国电子科技集团第五十五研究所、南方电网科学研究院有限责任公司、国网智能电网研究院有限公司、西安交通大学、东南大学、山东大学、南京航空航天大学、深圳基本半导体有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。 |
| 范围 | 本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法。
本文件仅适用于SiC MOSFET分立器件以源极和漏极之间的电压V_sd作为测试温敏参数的结壳热阻测试。 |
| 主要技术内容 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）因具有禁带宽度宽、临界击穿电场强、耐高温性能好等优点，逐渐在雷达探测、医疗通讯、交通运输以及新能源等领域广泛应用。结壳热阻作为表征热量在导热路径传输能力的重要参数，是直接反映器件热性能的关键技术指标之一，可以为器件的热设计与优化改进提供参考。因而，准确的热阻测试对于SiC MOSFET的鉴定、评价及其应用具有重要意义。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
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| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 登记证号 | 51110000MJ0118585E | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 技术研发，成果转化；咨询培训 ； 会议会展 ；承办委托； 国际交流 |
| 法定代表人/负责人 | 于坤山 |
| 依托单位名称 | |
| 通讯地址 | 北京市海淀区清华东路甲35号五号楼五层 | 邮编 : 100083 |
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