T/CI 161—2022 1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型 晶体管（IGBT）驱动器-团体标准
目录
| 标准详细信息 | |
|---|---|
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CI 161—2022 |
| 中文标题 | 1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型 晶体管（IGBT）驱动器 |
| 英文标题 | 1 200 V and 1 700 V Insulated grade bipolar transistor（IGBT）gate driver |
| 国际标准分类号 | 31.080.01 半导体器分立件综合 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | C389 其他电气机械及器材制造 |
| 发布日期 | 2022年12月15日 |
| 实施日期 | 2022年12月15日 |
| 起草人 | 李军、王坤、陈哲、钱方平、刘伟、李景灏、周才运、张杰、郭祥辉、刘乃强、杨昌国、王文广、洪磊、沈军武、付厚、魏平、孔佳佳。 |
| 起草单位 | 杭州飞仕得科技股份有限公司、浙江运达风电股份有限公司、杭州得诚电力科技股份有限公司、杭州飞仕得半导体科技有限公司、杭州毕博标准化技术有限公司 |
| 范围 | 本文件规定了1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动器的术语和定义、缩略语、基本参数、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及储存。 本文件适用于新能源、工业控制等领域应用的1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管驱动器（以下简称“驱动器”）。 |
| 主要技术内容 | 3.1 开通延时 opening delay 驱动器输入PWM信号上升沿10%传输至门极输出信号上升沿10%所需的时间。 3.2 关断延时 turn-off delay 驱动器输入PWM信号下降沿90%传输至门极输出信号下降沿90%所需的时间。 3.3 上升时间 rise time 驱动器门极输出信号的门极关断电压（-15 V/-8 V）的10%至门极开通电压（+15 V)的90%的时间量。 3.4 下降时间 descending time 驱动器门极输出信号的门极开通电压（+15 V）的90%至门极关断电压（-15 V/-8 V）的10%的时间量。 3.5 故障信号保持时间 fault signal holding time 发生故障以后，驱动器故障输出端的输出信号的保持时间。 3.6 空载电流 no load current 在额定电源电压且每路驱动输出在空载条件下的电源电流。 3.7 工作电流 operating current 在额定电源电压且每路驱动输出达到满载条件下的电源电流。 3.8 VCE短路保护响应时间 VCE short-circuit protection response time 功率器件IGBT短路发生到驱动器执行关断的时间。 3.9 阻断时间 blocking time 驱动器从SOx报出故障时刻开始封锁门极电压输出到能够响应上位机PWM信号的时间。 4 缩略语 下列缩略语适用于本文件： IGBT：绝缘栅双极型晶体管； PWM：脉冲宽度调制； LCR：测试电感、电阻、电容的数字电桥； DUT：被测绝缘栅双极型晶体管驱动器； VCE：集电极-发射极电压； VGE：栅极-发射极电压； SOx：故障状态输出端口。 5 绝缘参数 驱动器低压侧与高压侧的绝缘参数应符合表1的要求。 表1 绝缘参数 电压等级 绝缘耐压 测试时间 漏电流限值 最小电气间隙（mm） 最小爬电距离（mm） 基本绝缘 加强绝缘 基本绝缘 加强绝缘 1 200 V 3 750 VRMS 60 s 2 mA 3 6 8 16 1 700 V 5 000 VRMS 60 s 2 mA 5.5 10.4 12.5 25 5.1 环境条件 环境条件应符合以下要求： ——工作温度：-40 ℃～85 ℃； ——相对湿度：5%RH～95%RH，无凝露。 6 技术要求 6.1 外观 驱动器的外观应符合GB/T 16439—2009中5.2的规定。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
| 团体详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 团体名称 | 中国国际科技促进会 | ||
| 登记证号 | 51100000500017650Q | 发证机关 | 中华人民共和国民政部 |
| 业务范围 | 技术开发 信息交流 专业展览 业务培训 咨询服务 | ||
| 法定代表人/负责人 | 许军 | ||
| 依托单位名称 | |||
| 通讯地址 | 北京市海淀区中关村东路89号恒兴大厦13F | 邮编 : 100190 | |