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| 标准详细信息 |
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| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/IAWBS 016—2022 |
| 中文标题 | 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法 |
| 英文标题 | |
| 国际标准分类号 | 29.045 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | C398 电子元件及电子专用材料制造 |
| 发布日期 | 2022年03月17日 |
| 实施日期 | 2022年03月24日 |
| 起草人 | 刘素娟、 鲍慧强、 李龙远、 王锡铭、 赵然、 赵子强、 刘春俊、 闫 方亮、 郑红军、 王文军、 钮应喜、 刘兴昉、 刘祎晨 |
| 起草单位 | 国宏中宇科技发展有限公司、 中关村天合宽禁带半导体技术创新联 盟、 中科钢研节能科技有限公司、 北京天科合达半导体股份有限公司、 中国科学院物理研 究所、 北京三平泰克科技有限责任公司、 北京聚睿众邦科技有限公司、 芜湖启迪半导体有 限公司、 中国科学院半导体研究所 |
| 范围 | 本文件规定了利用双晶 X 射线衍射仪测试碳化硅单晶片摇摆曲线半高宽的方法。
本文件适用于物理气相传输及其它方法生长制备的碳化硅单晶片。
本文件适用于在室温下碳化硅单晶片的正晶向和偏角度的摇摆曲线检测。 |
| 主要技术内容 | 本文件根据碳化硅单晶的材料性能特点，并结合目前国内碳化硅晶体质量检测技术的研究水平，对碳化硅单晶摇摆曲线的测量原理、测量精度保障、测量步骤等内容作出了规定。本文件的主要结构和内容如下：
本文件主题章共分为9章，主要内容包括：范围、 规范性引用文件、术语和定义、测试原理、测试仪器、干扰因素，测试环境、测试样品、测试程序、精密度、测试报告和附录。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
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| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 |
| 登记证号 | 51110000MJ0117961F | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 产业技术研发、科技成果转化、信息平台与专业数据库建设、自主品牌推广、专业咨询培训与会展、承接政府委托、国际交流与合作。 |
| 法定代表人/负责人 | 刘祎晨 |
| 依托单位名称 | 无 |
| 通讯地址 | 北京市大兴区天荣街9号世农大厦3层 | 邮编 : 102600 |
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