T/SEPA 4—2022 局部放电EFPI光纤超声传感器探头MEMS制造技术 第1部分：基于SOI硅片的工艺规范-团体标准 🏠 认准啦首页/
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T/SEPA 4—2022 局部放电EFPI光纤超声传感器探头MEMS制造技术 第1部分：基于SOI硅片的工艺规范-团体标准 clock 大约 1 分钟 #T/SEPA 4—2022;# 局部放电EFPI光纤超声传感器探头MEMS制造技术 第1部分：基于SOI硅片的工艺规范;#上海市电力行业协会
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标准详细信息 标准状态 现行 标准编号 T/SEPA 4—2022 中文标题 局部放电EFPI光纤超声传感器探头MEMS制造技术 第1部分：基于SOI硅片的工艺规范 英文标题 MEMS fabrication technology of EFPI fiber optic ultrasonic sensor probe for partial discharge detection Part 1: process specification using the SOI wafer 国际标准分类号 29.020 中国标准分类号 K40 国民经济分类 D441 电力生产 发布日期 2022年12月01日 实施日期 2023年02月01日 起草人 司文荣、虞益挺、傅晨钊、吴旭涛、鞠登峰、黄辉、赵莹莹、陆启宇、吴欣烨、聂鹏晨、卢晶、周秀、何宁辉、药炜、陈川、梁基重、张莹、朱炯、胡正勇、倪鹤立、王伟、曹培 起草单位 国网上海市电力公司、西北工业大学、国网宁夏电力有限公司电力科学研究院、国网智能电网研究院有限公司、国网山西省电力公司、西安茂荣电力设备有限公司、华东电力试验研究院有限公司 范围 本文件规定了采用MEMS技术制作局部放电EFPI光纤超声传感器探头时SOI硅片应遵循的工艺规范，包括工艺流程、工艺要求、其他要求及检验。
本文件适用于电力设备局部放电EFPI超声传感器探头SOI芯片的制造和检验。 主要技术内容 局部放电（partial discharge, PD）会产生电磁和声波信号，辐射光并会造成绝缘材料的化学分解； 这些物理和化学的效应可以通过各类诊断性方法及相应的传感器进行检测。其中，应用声学法测量电力 设备绝缘缺陷产生的PD，通常可选用基于压电或声光效应的传感器。随着制造加工技术的发展，针对利用MEMS（Microelectromechanical System）技术制作PD EFPI（Extrinsic Fabry-Perot Interferometer）光纤超声传感器探头被大量采用，本文件针对“局部放电EFPI光纤超声传感器探头MEMS制造技术”，对“基于SOI硅片的工艺规范”进行描述，主要包括工艺流程、工艺要求、其他要求及检验，适用于电力设备PD EFPI超声传感器探头SOI芯片的制造和检验。 是否包含专利信息 否 标准文本 不公开
团体详细信息 团体名称 上海市电力行业协会 登记证号 51310000501779390J 发证机关 上海市民政局 业务范围 行业调研、技术培训、编辑出版、会展招商、产品推介、中介咨询服务、国内外信息技术交流等。 法定代表人/负责人 梁旭 依托单位名称 通讯地址 上海市黄浦区北京东路239号2楼 邮编 : 200002
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