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| 标准详细信息 |
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| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/ZJATA 0017—2023 |
| 中文标题 | 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备 |
| 英文标题 | |
| 国际标准分类号 | 31.220.01 机电元件综合 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | C356 电子和电工机械专用设备制造 |
| 发布日期 | 2023年06月20日 |
| 实施日期 | 2023年07月20日 |
| 起草人 | 曹建伟、朱亮、傅林坚、张俊、周建灿、刘毅、沈文杰、金玲飞、刘丹丹、余婷、楼科利、朱盛霞。 |
| 起草单位 | 浙江求是半导体设备有限公司、浙江晶盛机电股份有限公司、浙江求是创芯半导体设备有限公司、中国质量认证中心杭州分中心。 |
| 范围 | 本文件规定了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备（以下简称碳化硅外延设备）的产品分类、标记、组成及基本参数、工作条件、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、质量承诺。
本文件适用于采用化学气相沉积法(CVD)技术加工100 mm（4英寸）、150 mm（6英寸）和200 mm（8英寸）SiC 晶片的碳化硅外延设备。 |
| 主要技术内容 | 本文件包含了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备（以下简称“外延设备”）的产品分类、工作条件、技术要求、试验方法、检测规则、标志、包装、运输和贮存要求内容，对外延设备的反应室系统、温度控制系统、加热系统、真空系统、加工（碳化硅外延片）质量指标给出了统一技术参数及评价方法。通过对可靠性、加工效率、温度压力流量等关键参数控制，保证了设备的精准性、安全性。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 浙江省分析测试协会 |
| 登记证号 | 51330000501870119L | 发证机关 | 浙江省民政厅 |
| 业务范围 | 研讨、交流、咨询、培训 |
| 法定代表人/负责人 | 胡勇平 |
| 依托单位名称 | |
| 通讯地址 | 浙江省杭州市体育场路208号地矿科技大楼439/436 | 邮编 : 310000 |
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