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| 标准详细信息 |
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| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/ZZB 2833—2022 |
| 中文标题 | 高压MOSFET用200 mm硅外延片 |
| 英文标题 | 200 mm silicon epitaxial wafers for high voltage MOSFET |
| 国际标准分类号 | 29.045 |
| 中国标准分类号 | H82 |
| 国民经济分类 | C398 电子元件及电子专用材料制造 |
| 发布日期 | 2022年12月08日 |
| 实施日期 | 2022年12月31日 |
| 起草人 | 本文件主要起草人： 许峰、李慎重、李刚、刘红方、 朱华英、 李方虎、 李艳玲。 |
| 起草单位 | 本文件由宁波市标准化研究院牵头组织制定。本文件主要起草单位： 浙江金瑞泓科技股份有限公司。本文件参与起草单位： 金瑞泓科技（衢州）有限公司。 |
| 范围 | |
| 主要技术内容 | 本文件规定了高压MOSFET用200 mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、 质量证明书、 运输和贮存及质量承诺。
本文件适用于直径为200 mm、外延层厚度为40 μm～80 μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向<100>的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET） 器件（简称高压MOSFET） 。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 浙江省品牌建设联合会 |
| 登记证号 | 51330000MJ8700297R | 发证机关 | 浙江省民政厅 |
| 业务范围 | 开展相关研究，参与标准制定、发布，认证与监督，品牌培育，人才培训、品牌保护和宣传。 |
| 法定代表人/负责人 | 陈自力 |
| 依托单位名称 | |
| 通讯地址 | 浙江省杭州市天目山路222号2号楼1321室 | 邮编 : 310007 |
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