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| 标准详细信息 |
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| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CIE 145—2022 |
| 中文标题 | 辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法 |
| 英文标题 | |
| 国际标准分类号 | 31.080.01 半导体器分立件综合 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | I659 其他信息技术服务业 |
| 发布日期 | 2022年12月31日 |
| 实施日期 | 2023年01月31日 |
| 起草人 | 彭超、雷志锋、何玉娟、张战刚、肖庆中、来萍、黄云、李兴冀、杨剑群、徐晓东 |
| 起草单位 | 工业和信息化部电子第五研究所、哈尔滨工业大学 |
| 范围 | |
| 主要技术内容 | 本文件规定了利用电容瞬态深能级瞬态谱测试辐射诱生缺陷的方法和程序。
本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 不公开 |
| 团体详细信息 |
|---|
| 团体名称 | 中国电子学会 |
| 登记证号 | 社证字第4079号 | 发证机关 | 中华人民共和国民政部 |
| 业务范围 | 学术交流 教育普及 书刊编辑 评审鉴定 专业展览 咨询服务 |
| 法定代表人/负责人 | 陈英 |
| 依托单位名称 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 通讯地址 | 北京市玉渊潭南路普惠南里13号 | 邮编 : 100036 |
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