收录自团体标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该团体标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。
| 标准详细信息 |
|---|
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/IAWBS 020—2024 |
| 中文标题 | 碳化硅外延层深能级缺陷的测试 瞬态电容法 |
| 英文标题 | Test method for deep level defects of silicon carbide epitaxial layers-Transient capacitance method |
| 国际标准分类号 | 29.045 |
| 中国标准分类号 | H80/84 |
| 国民经济分类 | C398 电子元件及电子专用材料制造 |
| 发布日期 | 2024年02月27日 |
| 实施日期 | 2024年03月05日 |
| 起草人 | 闫果果、刘兴昉、郑红军、刘振洲 |
| 起草单位 | 中国科学院半导体研究所、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京粤海金半导体技术有限公司 |
| 范围 | |
| 主要技术内容 | 本文件规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱法测量碳化硅（SiC）外延材料中深能级缺陷的方法。
本文件适用于测量碳化硅外延材料层中的杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。此方法可得到深能级的激活能、浓度、俘获截面等参数。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 不公开 |
| 团体详细信息 |
|---|
| 团体名称 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 |
| 登记证号 | 51110000MJ0117961F | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 产业技术研发、科技成果转化、信息平台与专业数据库建设、自主品牌推广、专业咨询培训与会展、承接政府委托、国际交流与合作、团体标准制定。 |
| 法定代表人/负责人 | 刘祎晨 |
| 依托单位名称 | 无 |
| 通讯地址 | 北京市大兴区黄村镇丰远街1号院510办公室 | 邮编 : 102699 |
认准啦(RenZhunLa.com)为
收录自团体标准信息平台，认准啦(RenZhunLa.com)为执行该团体标准的产品或服务提供推介展位，欢迎留言交流。