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| 标准详细信息 |
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| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/NXCL 29—2024 |
| 中文标题 | 300 mm低氧含量直拉硅单晶抛光片 |
| 英文标题 | 300 mm low oxygen content single crystaline Czochralski silicon polished wafers |
| 国际标准分类号 | 29.045 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | C398 电子元件及电子专用材料制造 |
| 发布日期 | 2024年02月06日 |
| 实施日期 | 2024年02月06日 |
| 起草人 | 王黎光、商润龙、芮阳、杨少林、陈亚、蔡润、赵泽慧、赵延祥、曹启刚、王忠保、熊欢、魏兴彤、王云峰、李长苏、顾燕滨、盛之林、黄柳青、盛旺 |
| 起草单位 | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、北方民族大学、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、厦门大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司 |
| 范围 | 本文件规定了 300 mm 低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、订货单（或合同）内容和质量承诺等方面的内容。
本文件适用于直径 300 mm 低氧含量直拉硅单晶磨削片经单面或双面抛光制备的硅单晶抛光片，产品主要用于满足绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件技术需求的衬底片。 |
| 主要技术内容 | 本文件规定了 300 mm 低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、订货单（或合同）内容和质量承诺等方面的内容。
本文件适用于直径 300 mm 低氧含量直拉硅单晶磨削片经单面或双面抛光制备的硅单晶抛光片，产品主要用于满足绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件技术需求的衬底片。
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| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 宁夏材料研究学会 |
| 登记证号 | 51640000MJX1568802 | 发证机关 | 宁夏回族自治区民政厅 |
| 业务范围 | 宣传科技知识，促进学术交流，承担科技咨询、成果评价，出版学术资料，召开学术研讨会议、报告、讲座。 |
| 法定代表人/负责人 | 陈宇红 |
| 依托单位名称 | |
| 通讯地址 | 宁夏银川市西夏区文昌北街204号 | 邮编 : 750021 |
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