T_CNS 82—2022 宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法-团体标准
目录
| 标准详细信息 | |
|---|---|
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CNS 82—2022 |
| 中文标题 | 宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法 |
| 英文标题 | Test method for total ionizing dose effect of static random-access memory in space application |
| 国际标准分类号 | 27.120.01 核能综合 |
| 中国标准分类号 | F 70 |
| 国民经济分类 | C397 电子器件制造 |
| 发布日期 | 2022年12月16日 |
| 实施日期 | 2023年04月01日 |
| 起草人 | 郑齐文、崔江维、余学峰、郭旗、李豫东、王信、张丹、陆妩、何承发、崔帅、李鹏伟 |
| 起草单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所、中国科学院微小卫星创新研究院、中国航天科技集团有限公司第五研究院宇航物资保障事业部 |
| 范围 | 本文件适用于评估宇航用SRAM的抗总剂量效应能力，抗辐射加固SRAM试验验证，SRAM总剂量效应研究。 |
| 主要技术内容 | 本文件规定了宇航用静态随机存储器（Static Random-Access Memory,SRAM）总剂量(total ionizing dose,TID)效应试验方法。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
| 团体详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 团体名称 | 中国核学会 | ||
| 登记证号 | 3138 | 发证机关 | 中华人民共和国民政部 |
| 业务范围 | 学术交流、书刊编辑、咨询服务、展览、科普 | ||
| 法定代表人/负责人 | 雷增光 | ||
| 依托单位名称 | 无 | ||
| 通讯地址 | 北京市三里河南4巷1号 | 邮编 : 100045 | |