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| 标准详细信息 |
|---|
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/IAWBS 021—2024 |
| 中文标题 | 碳化硅晶片边缘轮廓检验方法 |
| 英文标题 | Test methods for edge contour of silicon carbide wafers |
| 国际标准分类号 | 29.020 |
| 中国标准分类号 | H80/84 |
| 国民经济分类 | C398 电子元件及电子专用材料制造 |
| 发布日期 | 2024年05月17日 |
| 实施日期 | 2024年05月24日 |
| 起草人 | 佘宗静、彭同华、王大军、刘祎晨、王波、赵宁、张平、杨建、郑红军、蔡丽艳 |
| 起草单位 | 北京天科合达半导体股份有限公司、江苏天科合达半导体有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、山东有研半导体材料有限公司 |
| 范围 | |
| 主要技术内容 | 本文件规定了碳化硅晶片边缘轮廓（包含切口）的检测方法。
本文件适用于检测倒角后碳化硅晶片的边缘轮廓（包含切口），其他材料晶片边缘轮廓的检测可参照本文件执行。 |
| 是否包含专利信息 | 是 |
| 标准文本 | 查看 |
| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 |
| 登记证号 | 51110000MJ0117961F | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 产业技术研发、科技成果转化、信息平台与专业数据库建设、自主品牌推广、专业咨询培训与会展、承接政府委托、国际交流与合作、团体标准制定。 |
| 法定代表人/负责人 | 刘祎晨 |
| 依托单位名称 | 无 |
| 通讯地址 | 北京市大兴区黄村镇丰远街1号院510办公室 | 邮编 : 102699 |
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