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标准详细信息 |
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标准状态 | 现行 |
标准编号 | T/ZSA 231—2024 |
中文标题 | 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 |
英文标题 | Test method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of Ga2O3 single crystal substrate |
国际标准分类号 | 29.045 |
中国标准分类号 | H21 |
国民经济分类 | C389 其他电气机械及器材制造 |
发布日期 | 2024年05月15日 |
实施日期 | 2024年05月16日 |
起草人 | 李培刚、宫学源、闫方亮、李龙、杨丽霞、王进进、朱勋、郑红军、刘祎晨、刘紫洋。 |
起草单位 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京镓创科技有限公司、北京聚睿众邦科技有限公司、北京邮电大学、北京聚仪共享科技有限公司。 |
范围 | 本文件描述了利用双晶X射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法。
本文件适用于熔体法、液相法及气相法生长的β相氧化镓单晶片,对前述单晶片进行化学或机械抛光后的样品同样适用于此方法。 |
主要技术内容 | 本文件描述了利用双晶X射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法。 本文件适用于熔体法、液相法及气相法生长的β相氧化镓单晶片,对前述单晶片进行化学或机械抛光后的样品同样适用于此方法。 |
是否包含专利信息 | 否 |
标准文本 | 查看 |
团体详细信息 |
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团体名称 | 中关村标准化协会 |
登记证号 | 51110000MJ0111906XH | 发证机关 | 北京市民政局 |
业务范围 | 开展在中关村标准化领域内的学术研究、学术交流、咨询培训、会议会展、国际交流 |
法定代表人/负责人 | 王钧 |
依托单位名称 | |
通讯地址 | 北京市通州区北皇木厂北街5号院2号楼华夏创新总部中心12层1210 | 邮编 : 100044 |
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