T_SZSA 031_01—2024 ESD/TVS静电保护类器件测试规范-团体标准

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标准详细信息
标准状态  现行
标准编号  T/SZSA 031.01—2024
中文标题  ESD/TVS静电保护类器件测试规范
英文标题  ESD/TVS ESD Protection Device Test Specification
国际标准分类号  31.080.01 半导体器分立件综合
中国标准分类号  L40
国民经济分类  C389 其他电气机械及器材制造
发布日期  2024年10月14日
实施日期  2024年10月21日
起草人  高东兴、杜飞波、刘伟明、隆省满、叶小波、鲍恩忠、常军锋、蔡纯、戴荣、 谭生发、朱文锋、廖昌武、冯白华、杨坤宏、古道雄、赖清海、王旭昌、王丹芬。
起草单位  深圳市晶扬电子有限公司、深圳市半导体产业发展促进会、深圳市半导体行业协 会、深圳市金誉半导体股份有限公司、深圳市三联盛科技股份有限公司、深圳市三一联光智能设备股份 有限公司、深圳市长运通半导体技术有限公司、深圳市旭智鹏技术开发有限公司。
范围  
主要技术内容  前言.........................................................................................................I 
引言........................................................................................................II 
ESD/TVS静电保护类器件测试规范..................................................1 
1  范围....................................................................................................1 
2  规范性引用文件................................................................................1 
3  术语和定义.........................................................................................1 
3.1  静电阻抗器Electro-Static Discharge.......................................1 
3.2  瞬态抑制二极管Transient Voltage Suppressor.....................1 
3.3  击穿电压Breakdown Voltage....................................................2 
3.4  反向截止电压Reverse Stand-Off Voltage..............................2 
3.5 反向脉冲峰值电流Peak Pulse Current......................................2 
3.6  箝位电压Clamping Voltage.......................................................2 
3.7  反向脉冲峰值功率 Reverse pulse peak power ....................2 
3.8  结电容Junction capacitor............................................................2 
3.9  反向漏电流 Current Intensity Reverse.....................................2 
3.10  I-V特性曲线....................................................................................2 
3.11  C-V特性曲线..................................................................................2 
3.12  传输线脉冲 Transmission Line Pulse.....................................3 
4  分类型号...............................................................................................3 
4.1 分类.....................................................................................................3 
4.2 型号.....................................................................................................3 
5  测试方法...............................................................................................4 
5.1 总则.....................................................................................................4 
5.2 测试目的.............................................................................................4 
5.3 测试条件.............................................................................................4 
5.4 测试设备和装置.................................................................................5 
5.5测试关键指标.......................................................................................5 
5.6 测试内容..............................................................................................5 
5.7 关键参数示例......................................................................................6 
是否包含专利信息  否
标准文本  查看
团体详细信息
团体名称深圳市半导体产业发展促进会
登记证号51440300785252338Q发证机关深圳市民政局
业务范围咨询服务、行业规划、协调促进行业发展、展览展示、信息发布、对外交流、会员培训、开展国内外经济、技术合作交流等大型会议活动。
法定代表人/负责人鲍恩忠
依托单位名称
通讯地址广东省深圳市新安街道兴东社区留仙大道2号汇聚创新园2栋2414邮编 : 518000

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