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| 标准详细信息 |
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| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CIET 941—2024 |
| 中文标题 | 半导体刻蚀设备 |
| 英文标题 | |
| 国际标准分类号 | 31.200 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | C356 电子和电工机械专用设备制造 |
| 发布日期 | 2024年12月31日 |
| 实施日期 | 2024年12月31日 |
| 起草人 | 廖海涛、林兴、赵公魄、朱昆、杨友明、李树瑜、陈晓东、陈建、李俊、马玉水、孙文彬、罗际蔚、黄维、项亮、张明、何磊、张振兴、王志广、刘岩、吴永利、汪贤峰、张仲琳、徐敬铭、包瑾、刘旭彤。 |
| 起草单位 | 无锡邑文微电子科技股份有限公司、研微（江苏）半导体科技有限公司、珠海宝丰堂半导体股份有限公司、广东省新兴激光等离子体技术研究院、常州瑞思杰尔电子科技有限公司、天津吉兆源科技有限公司、常州鑫立离子技术有限公司、成都沃特塞恩电子技术有限公司、成都德芯数字科技股份有限公司、山东联盛电子设备有限公司、通标中研标准化技术研究院（北京）有限公司、途邦认证有限公司。 |
| 范围 | 本文件规定了半导体刻蚀设备的基本要求、性能要求、试验方法与检验规则和标志、包装及运输。
本文件适用于半导体刻蚀设备，限于多晶硅逻辑器件的刻蚀，特别是有源区AA和多晶硅栅Poly gate工艺。 |
| 主要技术内容 | 本文件规定了半导体刻蚀设备的基本要求、性能要求、试验方法与检验规则和标志、包装及运输。
本文件适用于半导体刻蚀设备，限于多晶硅逻辑器件的刻蚀，特别是有源区AA和多晶硅栅Poly gate工艺。
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| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 不公开 |
| 团体详细信息 |
|---|
| 团体名称 | 中国国际经济技术合作促进会 |
| 登记证号 | 51100000500012876L | 发证机关 | 中华人民共和国民政部 |
| 业务范围 | 理论研究 技术交流 业务培训 书刊编辑 国际合作 咨询服务 |
| 法定代表人/负责人 | 杨连子 |
| 依托单位名称 | |
| 通讯地址 | 北京市通州区经海五路1号院45号楼1层5-101 | 邮编 : 101111 |
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