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| 标准详细信息 |
|---|
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/IAWBS 022—2024 |
| 中文标题 | SiC MOSFET阈值电压测试方法——电流源单点测试法 |
| 英文标题 | SiC MOSFET threshold voltage test method——current source single point testing method |
| 国际标准分类号 | 31.080.30 三极管 |
| 中国标准分类号 | L40/49 |
| 国民经济分类 | C397 电子器件制造 |
| 发布日期 | 2024年12月23日 |
| 实施日期 | 2024年12月30日 |
| 起草人 | 顾晓健,贾仁需,王贵豹,陈开宇,邓小川,张峰,李诚瞻,钮应喜,林信南 |
| 起草单位 | 瑶芯微电子(上海)有限公司,西安电子科技大学,电子科技大学,厦门大学,株洲中车时代半导体有限公司,安徽工程大学 |
| 范围 | |
| 主要技术内容 | 本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法。 本文件适用于SiC MOSFET阈值电压的测量,包含测试原理,测试电路以及测试条件。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 不公开 |
| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 |
| 登记证号 | 51110000MJ0117961F | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 产业技术研发、科技成果转化、信息平台与专业数据库建设、自主品牌推广、专业咨询培训与会展、承接政府委托、国际交流与合作、团体标准制定。 |
| 法定代表人/负责人 | 刘祎晨 |
| 依托单位名称 | 无 |
| 通讯地址 | 北京市大兴区黄村镇丰远街1号院510办公室 | 邮编 : 102699 |
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