T_IAWBS 022—2024 SiC MOSFET阈值电压测试方法——电流源单点测试法-团体标准

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标准详细信息
标准状态  现行
标准编号  T/IAWBS 022—2024
中文标题  SiC MOSFET阈值电压测试方法——电流源单点测试法
英文标题  SiC MOSFET threshold voltage test method——current source single point testing method
国际标准分类号  31.080.30 三极管
中国标准分类号  L40/49
国民经济分类  C397 电子器件制造
发布日期  2024年12月23日
实施日期  2024年12月30日
起草人  顾晓健,贾仁需,王贵豹,陈开宇,邓小川,张峰,李诚瞻,钮应喜,林信南
起草单位  瑶芯微电子(上海)有限公司,西安电子科技大学,电子科技大学,厦门大学,株洲中车时代半导体有限公司,安徽工程大学
范围  
主要技术内容  本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法。
本文件适用于SiC MOSFET阈值电压的测量,包含测试原理,测试电路以及测试条件。
是否包含专利信息  
标准文本  不公开
团体详细信息
团体名称中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
登记证号51110000MJ0117961F发证机关北京市民政局
业务范围产业技术研发、科技成果转化、信息平台与专业数据库建设、自主品牌推广、专业咨询培训与会展、承接政府委托、国际交流与合作、团体标准制定。
法定代表人/负责人刘祎晨
依托单位名称
通讯地址北京市大兴区黄村镇丰远街1号院510办公室邮编 : 102699

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