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| 标准详细信息 |
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| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/ACCEM 515—2025 |
| 中文标题 | 高性能高密度沟槽栅IGBT器件 |
| 英文标题 | |
| 国际标准分类号 | 31.080.01 半导体器分立件综合 |
| 中国标准分类号 | L 42 |
| 国民经济分类 | C397 电子器件制造 |
| 发布日期 | 2025年03月20日 |
| 实施日期 | 2025年04月18日 |
| 起草人 | 王丕龙、王新强、何钧、李学贵、张凯、吴洪基、陈佳恩、侯彩侠、王永铖、朱建英、朱加庚、马丽娜、李娜、武瑶萍、邓颖、谭文涛、贾洪玉、李永、郑建国、杨玉珍、秦鹏海、李婉秋、刘增、豆坤、李晓东、李大鑫 |
| 起草单位 | 青岛佳恩半导体有限公司、青岛佳恩半导体科技有限公司、深圳佳恩功率半导体有限公司、苏州创芯致尚微电子有限公司 |
| 范围 | |
| 主要技术内容 | 本文件规定了高性能高密度沟槽栅IGBT器件的结构、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本文件适用于高性能高密度沟槽栅IGBT器件的生产和检验。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 中国商业企业管理协会 |
| 登记证号 | 社证字第3347号 | 发证机关 | 中华人民共和国民政部 |
| 业务范围 | 行业管理、信息交流、业务培训、展览展示、书刊编辑、国际合作、咨询服务 |
| 法定代表人/负责人 | 刘育才 |
| 依托单位名称 | |
| 通讯地址 | 北京市复兴门内大街45号 | 邮编 : 100801 |
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