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| 标准详细信息 |
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| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CASAS 021—2024 |
| 中文标题 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法 |
| 英文标题 | Threshold voltage test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistor(SiC MOSFETs) |
| 国际标准分类号 | 31.080.01 半导体器分立件综合 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | C397 电子器件制造 |
| 发布日期 | 2024年11月19日 |
| 实施日期 | 2024年11月19日 |
| 起草人 | 刘奥、张国斌、柏松、黄润华、杨勇、桂明洋、迟雷、陈媛、徐申、孙钦华、李汝冠、郭清、林氦、王丹丹、孙承志、陈彦锐、何黎、崔潆心、胡惠娜、王来利、裴云庆、韩冰冰、佘超群、刘宗亮、赵高锋、段果、赵海明、姜南、高伟。 |
| 起草单位 | 中国电子科技集团第五十五研究所、南京第三代半导体技术创新中心有限公司、扬州国扬电子有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、工业和信息化部电子第五研究所、东南大学、杭州芯迈半导体技术有限公司、广电计量检测集团股份有限公司、浙江大学、浙江大学绍兴研究院、湖北九峰山实验室、是德科技（中国）有限公司、博测锐创半导体科技（苏州）有限公司、北京励芯泰思特测试技术有限公司、山东大学、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、西安交通大学、朝阳微电子科技股份有限公司、山东阅芯电子科技有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、厦门华联半导体科技有限公司、芯合半导体（合肥）有限公司、广东能芯半导体科技有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。 |
| 范围 | 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）阈值电压测试方法。
本文件适用于N沟道SiC MOSFET晶圆、芯片及封装产品的测试。 |
| 主要技术内容 | SiC MOSFET具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如电动汽车、光伏、储能、充电桩、航空航天迫切需要能够在高压、小散热体积、低损耗要求下工作的电子器件。SiC MOSFET阈值电压的准确测试，对于指导用户应用，评价SiC MOSFET技术状态具有重要意义。
由于SiC MOSFET的阈值电压具有不稳定性，本文件给出了适用于SiC MOSFET阈值电压的测试方法，用于用户入检、生产厂家标定以及第三方检测。
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| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 登记证号 | 51110000MJ0118585E | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 技术研发，成果转化；咨询培训；会议会展；承办委托；交流合作；团体标准 |
| 法定代表人/负责人 | 吴玲 |
| 依托单位名称 | |
| 通讯地址 | 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所五号楼五层 | 邮编 : 100083 |
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