T_CASAS 037—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法-团体标准
目录
| 标准详细信息 | |
|---|---|
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CASAS 037—2024 |
| 中文标题 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法 |
| 英文标题 | Gate charge test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors（SiC MOSFET） |
| 国际标准分类号 | 31.080.01 半导体器分立件综合 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | C397 电子器件制造 |
| 发布日期 | 2024年11月19日 |
| 实施日期 | 2024年11月19日 |
| 起草人 | 魏家行、曹钧厚、刘斯扬、孙伟锋、陈媛、毛赛君、刘惠鹏、孙博韬、王珩宇、王来利、王民、张太之、孙承志、丛茂杰、宋鑫宇、宋瑞超、孙钦华、刘海军、张雷、李钾、麦志洪、王晓萍、周紫薇、李梦亚、段果、李本亮、高伟。 |
| 起草单位 | 东南大学、工业和信息化部电子第五研究所、忱芯科技（上海）有限公司、北京华峰测控技术股份有限公司、清纯半导体（宁波）有限公司、浙江大学、西安交通大学、智新半导体有限公司、苏州汇川联合动力系统股份有限公司、是德科技（中国）有限公司、芯联集成电路制造股份有限公司、中国第一汽车集团有限公司、杭州芯迈半导体技术有限公司、中国电力科学研究院有限公司、东风汽车集团有限公司、湖北九峰山实验室、深圳平湖实验室、江苏第三代半导体研究院有限公司、厦门华联半导体科技有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。 |
| 范围 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、导通电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如新能源汽车、航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在高温、高频等极端环境下工作的电子器件。栅极电荷"Q" _"G" 是评价器件特性的关键参数，特别是对于开关和驱动器损耗估计，准确测试提取器件"Q" _"GS" ，阈值栅源电荷"Q" _"GS,th" ，栅漏电荷"Q" _"GD" 以及完整开关过程所需的栅极总电荷"Q" _"G,TOT" ，对器件性能评估以及外围电路设计具有重要意义。 SiC功率MOSFET的栅极电荷特性与传统的硅功率MOSFET不同。最明显的一点是没有真正的米勒平台。SiC MOSFET通常为短沟道，实际在DIBL（漏致势垒降低）效应作用下测试得到的米勒平台倾斜，导致现有的栅极电荷提取方法难以有效提取该器件的栅漏电荷"Q" _"GD" 。此外，由于SiC MOSFET在工况下大多采用负压关断，并且存在栅氧界面态问题，因此会观察到明显的阈值漂移。这一问题引起了开启和关断过程中栅极电荷曲线的回滞现象。因此，有必要明确"Q" _"G" 测量和提取过程的关断栅极电压，并区分器件开启过程和关断过程中测试得到的栅极电荷。本文件提供了"Q" _"GS,th" 、"Q" _"GS" 、"Q" _"GD" 和"Q" _"G,TOT" 等开关过程中不同阶段栅极电荷定义，并给出了适用于SiC MOSFET器件的栅极电荷测试及数据处理方法。 |
| 主要技术内容 | 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的栅极电荷测试方法，包括：测试原理、测试电路、测试条件以及数据处理方法。 本文件仅适用于增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件特性表征及可靠性测试等工作场景，可用于以下测试目标器件： a） 增强型N沟道垂直SiC MOSFET分立器件晶圆级及封装级产品； b） 含增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件的功率模块。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
| 团体详细信息 | |||
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| 团体名称 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | ||
| 登记证号 | 51110000MJ0118585E | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 技术研发，成果转化；咨询培训；会议会展；承办委托；交流合作；团体标准 | ||
| 法定代表人/负责人 | 吴玲 | ||
| 依托单位名称 | |||
| 通讯地址 | 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所五号楼五层 | 邮编 : 100083 | |