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| 标准详细信息 |
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| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CASAS 046—2024 |
| 中文标题 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法 |
| 英文标题 | Dynamic reverse bias (DRB) test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET) |
| 国际标准分类号 | 31.080.01 半导体器分立件综合 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | C397 电子器件制造 |
| 发布日期 | 2024年11月19日 |
| 实施日期 | 2024年11月19日 |
| 起草人 | 陈媛、何亮、施宜军、毛赛君、陈兴欢、赵鹏、王宏跃、蔡宗棋、张瑾、吴海平、孙博韬、丁琪超、左元慧、张俊然、李钾、王民、王丹丹、谢峰、闵晨、杨霏、刘昌、朱占山、张诗梦、李汝冠、王来利、张彤宇、王铁羊、刘陆川、胡浩林、李炜鸿、赵高锋、李本亮、高伟。 |
| 起草单位 | 工业和信息化部电子第五研究所、忱芯科技（上海）有限公司、中国科学院电工研究所、比亚迪半导体股份有限公司、清纯半导体(宁波)有限公司、复旦大学宁波研究院、东风汽车集团有限公司、湖北九峰山实验室、深圳市禾望电气股份有限公司、杭州芯迈半导体技术有限公司、中国电力科学研究院有限公司、中国第一汽车集团有限公司、广电计量检测集团股份有限公司、西安交通大学、深圳平湖实验室、江苏第三代半导体研究院有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。 |
| 范围 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频等极端环境下工作的电子器件。
由于SiC MOSFET在功率变换中常面临高压、高频、高温等复杂应力条件，其终端充放电效应，在开关性能明显优于Si器件的SiC器件中更为突出，为了验证终端的可靠性不会因器件导通和关断引起的电场强度持续变化而受到影响，有必要对SiC MOSFET在开关动态情况下的反偏可靠性进行评估。本文件给出了适用于SiC MOSFET器件的动态反偏(DRB)试验方法。 |
| 主要技术内容 | 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的动态反偏(DRB)试验方法，用于评估高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化。
本文件适用于单管级和模块级SiC MOSFET。
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| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 登记证号 | 51110000MJ0118585E | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 技术研发，成果转化；咨询培训；会议会展；承办委托；交流合作；团体标准 |
| 法定代表人/负责人 | 吴玲 |
| 依托单位名称 | |
| 通讯地址 | 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所五号楼五层 | 邮编 : 100083 |
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