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| 标准详细信息 |
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| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CI 609—2024 |
| 中文标题 | 碳化硅衬底研磨抛光工艺技术规范 |
| 英文标题 | Technical specification for grinding and polishing process of silicon carbide substrate |
| 国际标准分类号 | 29.045 |
| 中国标准分类号 | H83 |
| 国民经济分类 | C356 电子和电工机械专用设备制造 |
| 发布日期 | 2024年11月25日 |
| 实施日期 | 2024年11月25日 |
| 起草人 | 杨佳葳、王宇、黄朝辉、杨云龙、刘东立、侯晓蕊、赵丽丽、张佳奇、GU HAIYANG(顾海洋）、陈基生、顾鹏、龚涛、张晓洪、李斌、高阳、段树国、郭伟、邓耀敏、殷祥凯、孙志超、刘西洋、袁丽、雷沛、俞小英。 |
| 起草单位 | 湖南宇晶机器股份有限公司、眉山博雅新材料股份有限公司、扬帆半导体（江苏）有限公司、江苏京创先进电子科技有限公司、西湖仪器(杭州)技术有限公司、山西烁科晶体有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、广东聚芯半导体材料有限公司、杭州众硅电子科技有限公司、厦门中芯晶研半导体有限公司。 |
| 范围 | 本文件规定了碳化硅衬底研磨抛光工艺的技术要求、工艺流程、工艺参数、质量控制、检验方法、标志、运输和贮存等。
本文件适用于碳化硅衬底研磨抛光加工。 |
| 主要技术内容 | 本文件规定了碳化硅衬底研磨抛光工艺的技术要求、工艺流程、工艺参数、质量控制、检验方法、标志、运输和贮存等。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 不公开 |
| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 中国国际科技促进会 |
| 登记证号 | 51100000500017650Q | 发证机关 | 中华人民共和国民政部 |
| 业务范围 | 技术开发 信息交流 专业展览 业务培训 咨询服务 |
| 法定代表人/负责人 | 许军 |
| 依托单位名称 | |
| 通讯地址 | 北京市海淀区中关村东路89号恒兴大厦13F | 邮编 : 100190 |
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