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| 标准详细信息 |
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| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CI 610—2024 |
| 中文标题 | 碳化硅单晶生长技术 |
| 英文标题 | Silicon carbide single crystal growth technology |
| 国际标准分类号 | 29.045 |
| 中国标准分类号 | H83 |
| 国民经济分类 | C398 电子元件及电子专用材料制造 |
| 发布日期 | 2024年11月25日 |
| 实施日期 | 2024年11月25日 |
| 起草人 | 赵丽丽、王宇、李季、欧阳鹏根、李天、胡动力、王新新、马康夫、顾鹏、张胜涛、王光耀、刘西洋、袁丽、雷沛。 |
| 起草单位 | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、眉山博雅新材料股份有限公司、绍兴晶彩科技有限公司、浙江晶瑞电子材料有限公司、山西烁科晶体有限公司、连科半导体有限公司、河北岚鲸光电科技有限公司。 |
| 范围 | 本文件规定了碳化硅单晶生长的生产设备要求、原材料要求、工艺参数、质量检测、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本文件适用于采用物理气相传输法（PVT）进行碳化硅单晶生长的过程。 |
| 主要技术内容 | 本文件规定了碳化硅单晶生长的生产设备要求、原材料要求、工艺参数、质量检测、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 不公开 |
| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 中国国际科技促进会 |
| 登记证号 | 51100000500017650Q | 发证机关 | 中华人民共和国民政部 |
| 业务范围 | 技术开发 信息交流 专业展览 业务培训 咨询服务 |
| 法定代表人/负责人 | 许军 |
| 依托单位名称 | |
| 通讯地址 | 北京市海淀区中关村东路89号恒兴大厦13F | 邮编 : 100190 |
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