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| 标准详细信息 |
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| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CASAS 048—2025 |
| 中文标题 | 碳化硅单晶生长用等静压石墨 |
| 英文标题 | Iso-static graphite for silicon carbide single crystals |
| 国际标准分类号 | 31-030 |
| 中国标准分类号 | Q 50/59 |
| 国民经济分类 | C309 石墨及其他非金属矿物制品制造 |
| 发布日期 | 2025年04月23日 |
| 实施日期 | 2025年04月23日 |
| 起草人 | 屈睿航、周明、董博宇、吴厚政、李贺、杨牧龙、彭珍珍、张静、田涛、李殿浦、袁振洲、宁秀秀、侯晓蕊、杨弥珺、武雷、徐明升、张逊熙、刘涛、曹洪涛、赵正星、范金桃、孔令沂、曾一平、徐瑞鹏。 |
| 起草单位 | 赛迈科先进材料股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、湖南三安半导体有限责任公司、山东天岳先进科技股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、山东大学、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、杭州海乾半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。 |
| 范围 | 等静压石墨是由碳骨料、沥青等原材料通过磨粉、混捏、等静压成型、焙烧、浸渍、石墨化、纯化等工艺制造而成的石墨，也称为“各向同性”石墨。等静压石墨在碳化硅单晶生长过程中应用广泛，主要用于制造碳化硅单晶生长用的热场构件，如加热器、坩埚、籽晶托等。这些构件对于单晶生长过程的稳定性和晶体质量具有重要影响，质量良好、性能匹配的等静压石墨热场能够有效提升晶体生长良率。
我国的石墨产业发展迅速，但存在“高端产能不足，中低端产能过剩”的问题。近年来，随着半导体材料性能要求的日益提高，等静压石墨材料质量成为商家关注的重点。由于碳化硅单晶生长的工况条件极为复杂，包括极高的运行温度、复杂的腐蚀情况，以及严苛的洁净度要求等，等静压石墨的性能指标变化会极大地影响到晶体生长质量，甚至直接造成生长失败。因此，严格控制碳化硅单晶生长用等静压石墨的质量是保证单晶生长及控制质量的重要一环，具体体现在纯度、强度、抗腐蚀性、均匀性要求等多方面。
本文件的制定结合了国内众多碳化硅单晶厂商对碳化硅单晶生长用等静压石墨的具体指标要求，以及石墨生产厂家多年来在碳化硅单晶生长用石墨材料检测方面的详细数据积累。本文件的制定填补了国内空白，满足了第三代半导体碳化硅产业对等静压石墨构件的使用要求，有效保障碳化硅单晶的生长质量，推动我国半导体产业的健康发展。
希望以此标准的制定，衔接产业链上、中、下游，共同探讨产品需求的更多共识，促进我国半导体产业用石墨的转型升级、提质增效和创新发展。 |
| 主要技术内容 | 本文件描述了碳化硅单晶生长用等静压石墨的技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输和贮存等。
本文件适用于纯度要求达到5 N 5（质量分数99.9995 %）以上的碳化硅单晶生长用或碳化硅粉体合成用等静压石墨，包括碳化硅单晶生长用加热器、坩埚、籽晶托等内部构件，以及碳化硅粉体合成用加热器、坩埚等石墨热场部件。
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| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 登记证号 | 51110000MJ0118585E | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 技术研发，成果转化；咨询培训；会议会展；承办委托；交流合作；团体标准 |
| 法定代表人/负责人 | 吴玲 |
| 依托单位名称 | |
| 通讯地址 | 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所五号楼五层 | 邮编 : 100083 |
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