T_CASME 2000—2025 半导体外延用碳化硅涂层石墨基座技术规范-团体标准

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标准详细信息
标准状态  现行
标准编号  T/CASME 2000—2025
中文标题  半导体外延用碳化硅涂层石墨基座技术规范
英文标题  Technical Specification for Silicon Carbide Coated Graphite Substrate for Semiconductor Epitaxy
国际标准分类号  29.045
中国标准分类号  H 80
国民经济分类  C398 电子元件及电子专用材料制造
发布日期  2025年06月06日
实施日期  2025年07月06日
起草人  余盛杰、廖家豪、窦坤鹏、赵世贵、杨波、朱刚、李江涛、盛后泉、杨捷、孙威、邓南军、丁雄杰、刘薇、朱亦辉、刘涛涛 、李庆甲、杨延辉、陈闻杰、李华、任国静、张亚栋
起草单位  湖南德智新材料股份有限公司、成都方大炭炭复合材料股份有限公司、江苏宏基高新材料股份有限公司、湖南泰坦未来科技有限公司、广东天域半导体股份有限公司、安徽凯威半导体科技有限公司、河南锐瓷科技有限公司、辽宁汉京半导体材料有限公司、内蒙古京航特碳科技有限公司、广东精瓷新材料有限公司、通标国华标准技术咨询(北京)有限公司、华兴中科标准技术(北京)有限公司
范围  本文件适用于以高纯等静压石墨为基材,经加工、纯化、化学气相沉积、表面处理、清洗等工艺过程制备的超高纯半导体外延用碳化硅石墨基座制品。
主要技术内容  本文件规定了半导体外延用碳化硅涂层石墨基座的基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、运输和贮存等内容。
是否包含专利信息  
标准文本  不公开
团体详细信息
团体名称中国中小商业企业协会
登记证号50001136-3/社证字第3320号发证机关中华人民共和国民政部
业务范围信息交流 业务培训 书刊编辑 国际合作 咨询服务
法定代表人/负责人杨斐
依托单位名称
通讯地址北京市西城区航空胡同32号邮编 : 100035

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