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| 标准详细信息 |
|---|
| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CIE 238—2024 |
| 中文标题 | 大气中子导致的功率半导体器件单粒子效应试验评估方法 |
| 英文标题 | |
| 国际标准分类号 | 31.080.01 半导体器分立件综合 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | I659 其他信息技术服务业 |
| 发布日期 | 2024年05月24日 |
| 实施日期 | 2024年05月24日 |
| 起草人 | 彭超、雷志锋、张战刚、何玉娟、马腾、肖庆中、韦覃如、何小琦、来萍 |
| 起草单位 | 工业和信息化部电子第五研究所 |
| 范围 | |
| 主要技术内容 | 本文件规定了大气中子导致的功率半导体器件破坏性单粒子效应加速试验的要求、方法和程序，其中破坏性单粒子效应类型包括单粒子烧毁（SEB）、单粒子栅穿（SEGR）等效应。通过加速试验可评估大气中子导致的功率半导体器件失效率。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 不公开 |
| 团体详细信息 |
|---|
| 团体名称 | 中国电子学会 |
| 登记证号 | 社证字第4079号 | 发证机关 | 中华人民共和国民政部 |
| 业务范围 | 学术交流 教育普及 书刊编辑 评审鉴定 专业展览 咨询服务 |
| 法定代表人/负责人 | 陈英 |
| 依托单位名称 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 通讯地址 | 北京市玉渊潭南路普惠南里13号 | 邮编 : 100036 |
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