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| 标准详细信息 |
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| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CIET 1151—2025 |
| 中文标题 | 芯片制造用离子注入设备技术规范 |
| 英文标题 | |
| 国际标准分类号 | 31.080.01 半导体器分立件综合 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | C397 电子器件制造 |
| 发布日期 | 2025年04月09日 |
| 实施日期 | 2025年04月09日 |
| 起草人 | 聂翔、钟新华、刘仁杰、张丛、李更兰、彭强祥、田龙、谢均宇、陈祥龙、张蕊、姜维世、卓祖亮、刘岩、吴永利、汪贤峰、张仲琳、徐敬铭、包瑾、鲁家辉。 |
| 起草单位 | 青岛思锐智能科技股份有限公司、艾恩（山东）半导体科技有限公司、浙江中科尚弘离子装备工程有限公司、通标中研标准化技术研究院（北京）有限公司、途邦认证有限公司。 |
| 范围 | 本文件规定了芯片制造用离子注入设备的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本文件适用于芯片制造用离子注入设备。 |
| 主要技术内容 | 本文件规定了芯片制造用离子注入设备的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本文件适用于芯片制造用离子注入设备。
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| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 不公开 |
| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 中国国际经济技术合作促进会 |
| 登记证号 | 51100000500012876L | 发证机关 | 中华人民共和国民政部 |
| 业务范围 | 理论研究 技术交流 业务培训 书刊编辑 国际合作 咨询服务 |
| 法定代表人/负责人 | 杨连子 |
| 依托单位名称 | |
| 通讯地址 | 北京市通州区经海五路1号院45号楼1层5-101 | 邮编 : 101111 |
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