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| 标准详细信息 |
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| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CIET 1279—2025 |
| 中文标题 | 碳化硅单晶生长技术规范 物理气相传输法（PVT） |
| 英文标题 | |
| 国际标准分类号 | 29.045 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | C397 电子器件制造 |
| 发布日期 | 2025年05月14日 |
| 实施日期 | 2025年05月14日 |
| 起草人 | 王宇、陈鹏飞、侯晓蕊、袁振洲、袁丽、雷沛、顾鹏、刘西洋、陈颖超、刘岩、吴永利、汪贤峰、冀云、徐敬铭、包瑾、祝焕新。 |
| 起草单位 | 眉山博雅新材料股份有限公司、苏州清橙半导体科技有限公司、山西烁科晶体有限公司、江苏超芯星半导体有限公司、通标中研标准化技术研究院（北京）有限公司、途邦认证有限公司。 |
| 范围 | 本文件规定了碳化硅单晶生长物理气相传输法（PVT）的工艺原理、设备要求、工艺过程、质量控制、安全与环保等内容。
本文件适用于采用PVT法生长碳化硅单晶的工艺过程、设备、材料、质量控制等相关技术要求，明确所涵盖的碳化硅单晶的晶型、尺寸范围等。 |
| 主要技术内容 | 本文件规定了碳化硅单晶生长物理气相传输法（PVT）的工艺原理、设备要求、工艺过程、质量控制、安全与环保等内容。
本文件适用于采用PVT法生长碳化硅单晶的工艺过程、设备、材料、质量控制等相关技术要求，明确所涵盖的碳化硅单晶的晶型、尺寸范围等。
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| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 中国国际经济技术合作促进会 |
| 登记证号 | 51100000500012876L | 发证机关 | 中华人民共和国民政部 |
| 业务范围 | 理论研究 技术交流 业务培训 书刊编辑 国际合作 咨询服务 |
| 法定代表人/负责人 | 杨连子 |
| 依托单位名称 | |
| 通讯地址 | 北京市通州区经海五路1号院45号楼1层5-101 | 邮编 : 101111 |
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