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| 标准详细信息 |
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| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CASAS 53—2025 |
| 中文标题 | 氮化铝抛光片位错密度的测试 腐蚀坑法 |
| 英文标题 | Test method for dislocation density of polished AlN wafer—Etching pit method |
| 国际标准分类号 | 29.045 |
| 中国标准分类号 | |
| 国民经济分类 | C398 电子元件及电子专用材料制造 |
| 发布日期 | 2025年05月20日 |
| 实施日期 | 2025年05月20日 |
| 起草人 | 王琦琨、吴亮、周振翔、于彤军、程红娟、武红磊、刘志彬、张雷、王广、张童、倪逸舟、岳金顺、王新强、宋德鹏、高伟。 |
| 起草单位 | 奥趋光电技术（杭州）有限公司、北京中材人工晶体研究院有限公司、北京大学、中国电子科技集团公司第四十六研究所、深圳大学、中国科学院半导体研究所、山东大学、中国人民解放军国防科技大学、山西中科潞安紫外光电科技有限公司、至芯半导体（杭州）有限公司、苏州紫灿科技有限公司、北京大学东莞光电研究院、山东力冠微电子装备有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。 |
| 范围 | 氮化铝（这里指2H-AlN）作为重要的超宽禁带半导体材料，具有高临界击穿场强、高热导率、高电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点，在紫外光电器件、高温/高频功率电子及射频微波器件等领域具有巨大应用前景。
氮化铝晶体中的位错主要有三种类型：螺位错（TSD）、刃位错（TED）和基平面位错（BPD），其典型位错密度为103-106 个/cm2。基于氮化铝抛光片进行同质外延时，抛光片中的部分位错会向外延层中延伸，导致外延层中存在大量扩展型位错缺陷。这些位错缺陷的存在严重影响了氮化铝基器件的性能、可靠性和寿命。因此，氮化铝抛光片中位错密度的有效测试对单晶生长及其外延工艺优化、提升器件性能至关重要。目前我国缺乏氮化铝抛光片位错密度的测试标准，因此特制定本标准。 |
| 主要技术内容 | 本文件描述了用择优化腐蚀技术测试氮化铝抛光片中位错密度的方法。
本文件适用于抛光加工后位错密度小于107 个/cm2的氮化铝抛光片位错密度的测试，适用于1 inch、2 inch、3 inch、4 inch直径氮化铝抛光片的测试。氮化铝外延片可参照使用。
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| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 查看 |
| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 登记证号 | 51110000MJ0118585E | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 技术研发，成果转化；咨询培训；会议会展；承办委托；交流合作；团体标准 |
| 法定代表人/负责人 | 吴玲 |
| 依托单位名称 | |
| 通讯地址 | 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所五号楼五层 | 邮编 : 100083 |
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