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| 标准详细信息 |
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| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CASME 2095—2025 |
| 中文标题 | 半导体刻蚀用化学气相沉积碳化硅制品规范 |
| 英文标题 | Specification for chemical vapor deposited silicon carbide products for semiconductor etchingg |
| 国际标准分类号 | 29.045 |
| 中国标准分类号 | H 80 |
| 国民经济分类 | C266 专用化学产品制造 |
| 发布日期 | 2025年11月21日 |
| 实施日期 | 2025年12月21日 |
| 起草人 | 余盛杰、赵世贵、闫永杰、廖家豪、彭雅利、马良来、卢庆鸿、杨波、邓南军、张瑞、董发、丁雄杰、刘薇、汪冰、李华、任国静、张亚栋 |
| 起草单位 | 湖南德智新材料股份有限公司、南通三责精密陶瓷有限公司、成都方大炭炭复合材料股份有限公司、湖南泰坦未来科技有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、昊石新材料科技南通有限公司、广东天域半导体股份有限公司、微系统安徽省重点实验室、华兴中科标准技术（北京）有限公司、通标国华标准技术咨询（北京）有限公司、山东中科企业服务有限公司 |
| 范围 | 本文件适用于以高纯硅烷、氯硅烷、有机硅碳烷等为主要原料，经化学气相沉积制备的超高纯半导体刻蚀用碳化硅制品。 |
| 主要技术内容 | 本文件规定了半导体刻蚀用化学气相沉积碳化硅的基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、运输和贮存。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 不公开 |
| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 中国中小商业企业协会 |
| 登记证号 | 50001136-3/社证字第3320号 | 发证机关 | 中华人民共和国民政部 |
| 业务范围 | 信息交流 业务培训 书刊编辑 国际合作 咨询服务 |
| 法定代表人/负责人 | 杨斐 |
| 依托单位名称 | |
| 通讯地址 | 北京市西城区航空胡同32号 | 邮编 : 100035 |
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