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| 标准详细信息 |
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| 标准状态 | 现行 |
| 标准编号 | T/CEMIA 049—2025 |
| 中文标题 | 晶体生长用高纯碳化硅粉体 |
| 英文标题 | High-purity silicon carbide powder for crystal |
| 国际标准分类号 | 29.045 |
| 中国标准分类号 | G14 其它无机化工原料 |
| 国民经济分类 | C398 电子元件及电子专用材料制造 |
| 发布日期 | 2025年08月01日 |
| 实施日期 | 2025年11月01日 |
| 起草人 | 孙毅、董建勋、杨正宏、李季、王英民、周彦昭、朱佰喜、蒋旭霞、邓丽荣、周强、翁伟炜、胡动力、闫永杰、刘萍、王浩、陈学彬、苏燕、张晓燕、张文忠 |
| 起草单位 | 河南中宜创芯发展有限公司、绍兴晶彩科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、华为技术有限公司、广州志橙半导体有限公司、西安博尔新材料有限责任公司、山东圣诺实业有限公司、汕头天意半导体技术有限公司、连科半导体有限公司、平顶山易成新材料有限公司、江苏三责新材料科技股份有限公司、东方电气先进材料科技（四川）有限公司、浙江之升科技有限公司、精工博研测试技术（河南）有限公司、内蒙古赛盛新材料有限公司 |
| 范围 | 本文件规定了晶体生长用高纯碳化硅粉体的技术要求、试验方法、检验规则和包装、标志、运输及贮存。
本文件适用于纯度不低于99.9999wt%（6N）的晶体生长用高纯碳化硅粉体（以下简称“碳化硅粉体”或“粉体”）。 |
| 主要技术内容 | 碳化硅含量不低于 99.999 9%(质量分数)(6 N)，且其中对硼、铝、钨、钙、铁、钒、钛等各杂质元素的含量不高于0.1x10-6，符合电子级应用要求的碳化硅粉体材料。粒度组成、振实密度应符合相应规定。 |
| 是否包含专利信息 | 否 |
| 标准文本 | 不公开 |
| 团体详细信息 |
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| 团体名称 | 中国电子材料行业协会 |
| 登记证号 | 51100000500003195B | 发证机关 | 中华人民共和国民政部 |
| 业务范围 | 行业管理，信息交流，业务培训，国际合作，咨询服务 |
| 法定代表人/负责人 | 潘林 |
| 依托单位名称 | |
| 通讯地址 | 北京市朝阳区胜古中路2号院5号楼金基业大厦711/716室 | 邮编 : 100029 |
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