T_CSA 099—2025 Micro-LED芯片外量子效率测试方法-团体标准

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标准详细信息
标准状态  现行
标准编号  T/CSA 099—2025
中文标题  Micro-LED芯片外量子效率测试方法
英文标题  
国际标准分类号  31.080.01 半导体器分立件综合
中国标准分类号  
国民经济分类  C397 电子器件制造
发布日期  2025年09月28日
实施日期  2025年09月28日
起草人  陈志忠、黄凯、黄少华、周雄图、徐杰、孙昕、朱广敏、黄涛、刘英斌、朱昕、吕天刚、牛宏强、林怡彬、刘强、熊敬康、刘泽强、刘志强、徐圆圆。
起草单位  北京大学、厦门大学、中关村半导体照明工程研发及产业联盟、厦门三安光电有限公司、福州大学、中关村半导体照明联合创新重点实验室(宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室)、京东方华灿光电(广东)有限公司、晶能光电股份有限公司、南昌中微半导体设备有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、鸿利智汇集团股份有限公司、宁波升谱光电股份有限公司、闽都创新实验室、北京大学东莞光电研究院、常州市武进区半导体照明应用技术研究院、中国科学院半导体研究所、广州市鸿利显示电子有限公司。
范围  
主要技术内容  T/CSA 099—2025《Micro-LED芯片外量子效率测试方法》描述了低功率(nW~μW)微型发光二极管(以下简称Micro-LED)的外量子效率(EQE)测量方法,包括:Micro-LED芯片的点测和LED封装的测试。本文件适用于Micro-LED的EQE的测量。
是否包含专利信息  
标准文本  不公开
团体详细信息
团体名称中关村半导体照明工程研发及产业联盟(国家半导体照明工程研发及产业联盟)
登记证号0011820发证机关北京市民政局
业务范围组织半导体照明技术研发及推广应用;开展技术咨询、专利服务、专业培训和信息服务;制定技术标准,开展检测、认证;承接政府委托;开展国际交流与合作。
法定代表人/负责人阮军
依托单位名称
通讯地址北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所5号楼5层邮编 : 100083

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